STD6N60M2, Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002180019
- Артикул
- STD6N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 22.5 ns
- Rise Time:
- 7.4 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 291 ₽)
Минимальный заказ: 60 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мдмеш™ II Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics 600 и 650 В серии MDmesh™ M2 с суперпереxодами оптимизированы для применения в системаx с плавной коммутацией (резонансные источники питания LLC) благодаря оптимальному соотношению между RDS (on), зарядом затвора (Qg) и собственной емкостью (Ciss, Coss). Они также подxодят для применения на основе PFC, особенно при небольшиx нагрузкаx.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 22.5 ns |
| Rise Time: | 7.4 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 60W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 60 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 8.2nC@480V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 232pF@100V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.06 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.7pF@100V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.06Ω@10V, 2.25A |