Моя заявка (0)
STD6N60DM2, Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8037911147
Артикул
STD6N60DM2
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STD6N60DM2
Fall Time:
19.6 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STD6N60DM2
Fall Time:19.6 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:5.6 ns
Tradename:MDmesh
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DPAK-3
Transistor Type:1 N Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:6.2 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:60 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:9.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:12 ns
Id - Continuous Drain Current:3.2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.1 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.25 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация