STripFET F3 N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V, 3-Pin DPAK STD65N55F3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8518017082
- Артикул
- STD65N55F3
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 6.2mm
- Series
- STripFET F3
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 750 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы STripFET™ с широким диапазоном пробивныx напряжений обеспечивают сверxнизкий заряд затвора и низкое сопротивление при включении.
Технические параметры
| Width | 6.2mm |
| Series | STripFET F3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 33.5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |