STD60NF55LT4, Trans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001693424
- Артикул
- STD60NF55LT4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- DPAK
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STD60NF55L
Цена по запросу
(от 94 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 55В, 42А, 110Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | DPAK |
| Type: | MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STD60NF55L |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 35 ns |
| Rise Time: | 180 ns |
| Technology | SuperMesh™ |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 42A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 110W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 56 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±15V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 17mΩ |
| Drain-source voltage | 55V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -15 V, +15 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 35 S |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |