STD60NF06T4, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 42А, 110Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033518100
- Артикул
- STD60NF06T4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 6.2mm
- RDS-on
- 16@10V mOhm
- Series
- STripFET II
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 148,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы STripFET™ с широким диапазоном пробивныx напряжений обеспечивают сверxнизкий заряд затвора и низкое сопротивление при включении.
Технические параметры
| Width | 6.2mm |
| RDS-on | 16@10V mOhm |
| Series | STripFET II |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 2.5 |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Power Dissipation | 110Вт |
| Typical Fall Time | 20 ns |
| Typical Rise Time | 108 ns |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Max Processing Temp | 260I275 |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55 to 175 °C |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 30A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 110W(Tc) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | - |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 16 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 43 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 16 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.014Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Линейка Продукции | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1810 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A(Tc) |
| Непрерывный Ток Стока | 60А |
| Рассеиваемая Мощность | 110Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Крутизна характеристики, S | 20 |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.014Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |