STD5NM60-1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 3,1А, Idm: 20А, 96Вт, IPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003851536
- Артикул
- STD5NM60-1
- Бренд
- STMicroelectronics
- Тип
- MOSFET
- Вес, г
- 0.86
- Длина
- 6.6 mm
- Серия
- STD5NM60
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 3,1А, Idm: 20А, 96Вт, IPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Тип | MOSFET |
| Вес, г | 0.86 |
| Длина | 6.6 mm |
| Серия | STD5NM60 |
| Высота | 6.2 mm |
| Ширина | 2.4 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 10 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время нарастания | 10 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 96 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.1 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.4 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 96 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |