STD5NK40ZT4, Транзистор N-МОП, полевой, 400В 3A 45Вт 1,8Ом TO252
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024643513
- Артикул
- STD5NK40ZT4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- SuperMESH
- Series:
- STD5NK40ZT4
Цена по запросу
(от 78 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 400В 3A 45Вт 1,8Ом TO252 Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | SuperMESH |
| Series: | STD5NK40ZT4 |
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Tradename: | SuperMESH |
| Вес, г | 0.48 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Supplier Package | DPAK |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Структура | N-МОП |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 45 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.2 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22.5 ns |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.2 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 45000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 11.7 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 11.7@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.8 Ohms |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 400 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 400 V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 3 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 305@25V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 1800@10V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1, 8Ом |