STD5N95K3, Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH3™; полевой; 950В; 3А; Idm: 16А; 90Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015743836
- Артикул
- STD5N95K3
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- null
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 18 ns
- Rise Time:
- 7 ns
Цена по запросу
(от 316,12 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
950 В 4 А 3.5Ohm@2A,10 В 90 Вт 5 В при 100 мкА нулевые МОП-транзисторы DPAK, соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | null |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 18 ns |
| Rise Time: | 7 ns |
| Вес, г | 0.48 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 19 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 90W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 90 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 19nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 460pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 950 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 950 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 90 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.5Ω@2A, 10V |