STD5N80K5, MOSFETs N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004827989
- Артикул
- STD5N80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 6.2mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.2
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 188,48 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот высоковольтный N-канальный силовой МОП-транзистор разработан с использованием теxнологии MDmesh K5, основанной на инновационной запатентованной вертикальной структуре.
Технические параметры
| Width | 6.2mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.5V |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 60 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.73 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5 Ом |