Моя заявка (0)

STD5N62K3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 620В, 3А, 70Вт, DPAK

STD5N62K3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 620В, 3А, 70Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061262512
Артикул
STD5N62K3
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
No
Mounting
Surface Mount
ECCN (US)
EAR99
Цена по запросу
(от 361,23 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1.5
СерияSTD5N62K3
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Process TechnologySuperMESH 3
ТехнологияSi
Standard Package NameTO-252
Вид монтажаSMD/SMT
Typical Fall Time (ns)21
Typical Rise Time (ns)8
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Supplier Temperature GradeIndustrial
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-252-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Power Dissipation (mW)70000
Qg - заряд затвора26 nC
Typical Gate Charge @ 10V (nC)26
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)26@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)12
Maximum Drain Source Voltage (V)620
Typical Turn-Off Delay Time (ns)40
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Maximum Continuous Drain Current (A)4.2
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)680@50V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)1600@10V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности70 W
Id - непрерывный ток утечки4.2 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток620 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V

Техническая документация