STD5N62K3, Trans MOSFET N-CH 620V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001166546
- Артикул
- STD5N62K3
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 620V 4.2A 3-контактный (2+Tab) DPAK T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Серия | STD5N62K3 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Process Technology | SuperMESH 3 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Fall Time (ns) | 21 |
| Typical Rise Time (ns) | 8 |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 70000 |
| Qg - заряд затвора | 26 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 26 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 26@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 620 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 40 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4.2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 680@50V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1600@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 70 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.2 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 620 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 620 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |