STD5N52U, MOSFETs N-channel 525 V 4.4 A DPAK TO-220F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004827986
- Артикул
- STD5N52U
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- N Channel
- Type:
- Power MOSFET
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STD5N52U
Цена по запросу
(от 140,20 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 525В 4,4A 70Вт 1,5Ом TO252 Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Type: | Power MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STD5N52U |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 13.6 ns |
| Tradename: | UltraFASTmesh |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16.9 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 70W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 70 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 16.9nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11.4 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 529pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23.1 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.4A |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.28 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 525 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.5V@50uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 525 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5Ω@10V, 2.2A |