STD5N20LT4, Транзистор MOSFET TO252

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041391618
- Артикул
- STD5N20LT4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- N Channel
- Тип
- MOSFET
- Вес, г
- 4
- Длина
- 6.6 mm
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 200 Volt 5 Amp
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Тип | MOSFET |
| Вес, г | 4 |
| Длина | 6.6 mm |
| Серия | STD5N20L |
| Высота | 2.4 mm |
| Корпус | to252 |
| Ширина | 6.2 mm |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 15.5 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel MOSFET |
| Qg - заряд затвора | 5 nC |
| Время нарастания | 21.5 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 33 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 700 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.5 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 33 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | - |