Моя заявка (0)
STD5N20LT4, Транзистор MOSFET TO252

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8041391618
Артикул
STD5N20LT4
Бренд
STMicroelectronics
Type
N Channel
Тип
MOSFET
Вес, г
4
Длина
6.6 mm
Цена по запросу
(от 180 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 200 Volt 5 Amp

Технические параметры

TypeN Channel
ТипMOSFET
Вес, г4
Длина6.6 mm
СерияSTD5N20L
Высота2.4 mm
Корпусto252
Ширина6.2 mm
СтруктураMOSFET
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада15.5 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-252-3
Continuous Drain Current (Id)4A
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel MOSFET
Qg - заряд затвора5 nC
Время нарастания21.5 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности33 W
Id - непрерывный ток утечки5 A
Коммерческое обозначениеSTripFET
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток5 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток700 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
Пороговое напряжение на затворе2.5V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения14 ns
Типичное время задержки при включении11.5 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.6.5 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт33
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)-

Техническая документация