STD4NK80Z-1, MOSFETs N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004827984
- Артикул
- STD4NK80Z-1
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Mounting
- Through Hole
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 200,38 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.6 mm |
| Серия | STD4NK80Z |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Высота | 6.2 mm |
| Ширина | 2.4 mm |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | IPAK |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-251 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 32 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 32 |
| Typical Rise Time (ns) | 12 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 80000 |
| Qg - заряд затвора | 22.5 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 22.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 22.5@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13 |
| Время нарастания | 12 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 575@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3500@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 80 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |