STD4NK60Z-1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 2,5А, Idm: 16А, 70Вт, IPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003831545
- Артикул
- STD4NK60Z-1
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 16.5 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 9.5 ns
Цена по запросу
(от 100,78 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 2,5А, Idm: 16А, 70Вт, IPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 16.5 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 9.5 ns |
| Вес, г | 0.45 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-251-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 26 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 70 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 29 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |