Моя заявка (0)

STD4NK50ZT4, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 1,9А, 45Вт, DPAK

STD4NK50ZT4, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 1,9А, 45Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014886703
Артикул
STD4NK50ZT4
Бренд
STMicroelectronics
Тип
MOSFET
Вес, г
0.66
Длина
6.6 mm
Серия
STD4NK50Z
Цена по запросу
(от 140 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 1,9А, 45Вт, DPAK

Технические параметры

ТипMOSFET
Вес, г0.66
Длина6.6 mm
СерияSTD4NK50Z
Высота2.4 mm
Ширина6.2 mm
RoHS CompliantYes
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада11 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-252-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Время нарастания7 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности45 W
Id - непрерывный ток утечки3 A
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток2.4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Пороговое напряжение на затворе5V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения21 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.9
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.1.5 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт45
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация