STD4NK100Z,Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001607810
- Артикул
- STD4NK100Z
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 6.2mm
- Series
- MDmesh, SuperMESH
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 4
Цена по запросу
(от 505 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 6.2mm |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 4 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 90 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Drain Source Resistance | 6.8 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.2 A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 90 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5.6 Ом |