Моя заявка (0)

STD4N80K5, Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; полевой; 800В; 1,7А; Idm: 12А

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062507176
Артикул
STD4N80K5
Бренд
STMicroelectronics
Type
N Channel
Series
SuperMESH5в(ў
FET Type
N-Channel
Packaging
Cut Tape(CT)
Цена по запросу
(от 197,73 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; полевой; 800В; 1,7А; Idm: 12А

Технические параметры

TypeN Channel
SeriesSuperMESH5в(ў
FET TypeN-Channel
PackagingCut Tape(CT)
Vgs (Max)В±30V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.4
Part StatusActive
ManufacturerSTMicroelectronics
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100ВµA
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Power Dissipation (Pd)60W
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max)60W(Tc)
Supplier Device PackageDPAK
Total Gate Charge (Qg@Vgs)10.5nC@10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)175pF@100V
Continuous Drain Current (Id)3A
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds175pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C3A(Tc)

Техническая документация