STD4N80K5, Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; полевой; 800В; 1,7А; Idm: 12А
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015743835
- Артикул
- STD4N80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- N Channel
- Series
- SuperMESH5в(ў
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
Цена по запросу
(от 124 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
800 В 3 А 2.5Ohm@10V,1.5 А 60 Вт 5 В при 100 мкА N-канальный TO-252 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Series | SuperMESH5в(ў |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.03 |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 60W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 60W(Tc) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10.5nC@10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 175pF@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.5Ω@10V, 1.5A |