Моя заявка (0)

STD4N62K3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 620В, 2А, 70Вт, DPAK

STD4N62K3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 620В, 2А, 70Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8042953681
Артикул
STD4N62K3
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Type
SuperMesh3 Power MOSFET
Brand
STMicroelectronics
Series
N-channel MDmesh
Цена по запросу
(от 86 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3

Технические параметры

RoHSDetails
TypeSuperMesh3 Power MOSFET
BrandSTMicroelectronics
SeriesN-channel MDmesh
ТипSuperMesh3 Power MOSFET
PackagingReel
TechnologySi
Вес, г0.03
СерияSTD4N62K3
ManufacturerSTMicroelectronics
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-252-3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge14 nC
Number of Channels1 Channel
СтруктураMOSFET
Transistor PolarityN-Channel
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity2500
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation70 W
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Vgs - Gate-Source Voltage3 V
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-252-3
Id - Continuous Drain Current3.8 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора14 nC
Rds On - Drain-Source Resistance1.95 Ohms
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage620 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage4.5 V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности70 W
Id - непрерывный ток утечки3.8 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Крутизна характеристики, S-
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток3 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.95 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток620 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В620
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт70
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В4.5 V
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.95 Ohms

Техническая документация