STD3NM60N, MOSFETs N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005442099
- Артикул
- STD3NM60N
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 0.41
- Серия
- STD3NM60N
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 50Вт
Цена по запросу
(от 140,64 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
Технические параметры
| Вес, г | 0.41 |
| Серия | STD3NM60N |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 50Вт |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 9.5 nC |
| Drain Source On State Resistance | 1.6Ом |
| Линейка Продукции | MDmesh II |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 3.3А |
| Рассеиваемая Мощность | 50Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.6Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.6 Ом |