STD3N62K3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 620В, 1,7А, 45Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062107595
- Артикул
- STD3N62K3
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- Case
- DPAK
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 86 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
Технические параметры
| Tab | Tab |
| Case | DPAK |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Technology | SuperMesh™ |
| Вес, г | 0.39 |
| Длина | 6.6 mm |
| Серия | STD3N62K3 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 2.4 mm |
| Ширина | 6.2 mm |
| Configuration | Single |
| Drain current | 2.7A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Power dissipation | 45W |
| Process Technology | SuperMESH 3 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 2.5Ω |
| Drain-source voltage | 620V |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 15.6 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 15.6 |
| Typical Rise Time (ns) | 6.8 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 45000 |
| Qg - заряд затвора | 13 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 13 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 13@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9 |
| Время нарастания | 6.8 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 620 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 22 |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.7 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 385@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2500@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.7 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 620 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |