STD35P6LLF6, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -25А, 70Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056503509
- Артикул
- STD35P6LLF6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- DPAK
- Brand:
- STMicroelectronics
- RDS-on
- 0.028@10V Ohm
- Series
- STripFET F6
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Case | DPAK |
| Brand: | STMicroelectronics |
| RDS-on | 0.028@10V Ohm |
| Series | STripFET F6 |
| Series: | STD35P6LLF6 |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 21 ns |
| Rise Time: | 39 ns |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 0.48 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | DPAK |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -25A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel Power MOSFET |
| Power dissipation | 70W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Typical Fall Time | 21 ns |
| Typical Rise Time | 39 ns |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 36mΩ |
| Transistor Material | Silicon |
| Drain-source voltage | -60V |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55 to 175 °C |
| Pd - Power Dissipation: | 70 W |
| Typical Turn-On Delay Time | 51.4 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 171 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 51.4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 171 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |