STD30NF06LT4, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 35 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005605073
- Артикул
- STD30NF06LT4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
- Width
- 6.2mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- STripFET
Цена по запросу
(от 272 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 25А, 70Вт, DPAK
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 6.2mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | STripFET |
| Series: | STD30NF06L |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 25 ns |
| Rise Time: | 105 ns |
| Вес, г | 0.66 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 70Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 31 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 70 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 70 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 65 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 25 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 28 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.022Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 22 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 35А |
| Рассеиваемая Мощность | 70Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 2.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.022Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.022 Ом |