Моя заявка (0)
STD30N6LF6AG, TO-252-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062872933
Артикул
STD30N6LF6AG
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Fall Time
7 ns
Packaging
Reel
Цена по запросу
(от 142,76 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60 В, TO-252; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 24 А; Напряжение источника стока Vds: 60 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,019 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:2,5 В;

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Fall Time7 ns
PackagingReel
Rise Time19 ns
TechnologySi
Вес, г0.6
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
ManufacturerSTMicroelectronics
Configuration1 N-Channel
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-252-3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge26 nC
Power Dissipation40Вт
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity2500
Pd - Power Dissipation40 W
КвалификацияAEC-Q101
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Typical Turn-On Delay Time10 ns
Typical Turn-Off Delay Time56 ns
Id - Continuous Drain Current24 A
Maximum Operating Temperature+175 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Drain Source On State Resistance0.019Ом
Rds On - Drain-Source Resistance30 mOhms
Линейка ПродукцииSTripFET F6
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage1 V
Непрерывный Ток Стока24А
Рассеиваемая Мощность40Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура175 C
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.019Ом

Техническая документация