Моя заявка (0)

STD2N95K5, Транзистор N-MOSFET, полевой, 950В, 1,3А, 45Вт, DPAK

STD2N95K5, Транзистор N-MOSFET, полевой, 950В, 1,3А, 45Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018882928
Артикул
STD2N95K5
Бренд
STMicroelectronics
Type
1PCSNChannel
Вес, г
0.4
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
45Вт
Цена по запросу
(от 66,78 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высоковольтные МОП-транзисторы STMicroelectronics SuperMESH для поверxностного монтажа

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Вес, г0.4
Channel TypeN Channel
Power Dissipation45Вт
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)45W
Особенности-
Квалификация-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)10nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)105pF@100V
Continuous Drain Current (Id)2A
Drain Source On State Resistance4.2Ом
Линейка ПродукцииMDmesh K5
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока2А
Рассеиваемая Мощность45Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds950В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе5V@100uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В950
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)4.2Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт45
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5Ω@10V, 1A

Техническая документация

STD2N95K5 STMicroelectronics: купить, цена от 66,78 ₽ | ЭПЛ