Моя заявка (0)

STD2N80K5, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 1,3А, 45Вт, DPAK

STD2N80K5, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 1,3А, 45Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049110352
Артикул
STD2N80K5
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series
MDmesh K5
Цена по запросу
(от 188 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы MDmesh K5 Серия STMicroelectronics MDmesh K5 - это высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, лучшими в отрасли RD(on) и отличающимися повышенной плотностью мощности и КПД. Типичные области применения включают светодиодное освещение, приборы учета, солнечные инверторы, 3-фазные вспомогательные источники питания, сварку и управление автомобильными аккумуляторами.

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Brand:STMicroelectronics
SeriesMDmesh K5
Series:STD2N80K5
PackagingReel
TechnologySi
Tradename:MDmesh
Вес, г0.41
Technology:Si
Channel TypeN Channel
ManufacturerSTMicroelectronics
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationSingle
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-252-3
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge3 nC
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation45Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:3 nC
Number of Channels1 Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity2500
Pd - Power Dissipation110 W
Pd - Power Dissipation:110 W
Vgs - Gate-Source Voltage30 V
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Id - Continuous Drain Current2 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Id - Continuous Drain Current:2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Drain Source On State Resistance4.5Ом
Rds On - Drain-Source Resistance3.5 Ohms
Rds On - Drain-Source Resistance:3.5 Ohms
Линейка ПродукцииMDmesh K5
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage800 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:800 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage4 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Непрерывный Ток Стока2А
Рассеиваемая Мощность45Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура150 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)4.5Ом

Техническая документация