STD2N62K3, MOSFETs N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004827954
- Артикул
- STD2N62K3
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±30V
- Fall Time:
- 22 ns
Цена по запросу
(от 169,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 620В, 1А, 45Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Fall Time: | 22 ns |
| Rise Time: | 4.4 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 1.1A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 45 W |
| Power Dissipation (Max) | 45W(Tc) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 620 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.6 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 50 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 620 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 620 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3 Ом |