STD2N105K5, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1050В, 0,95А, 60Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037687332
- Артикул
- STD2N105K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- RDS-on
- 8@10V Ohm
- Series:
- STD2N105K5
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 198,78 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1050В, 0,95А, 60Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| RDS-on | 8@10V Ohm |
| Series: | STD2N105K5 |
| Mounting | Surface Mount |
| Fall Time: | 38.5 ns |
| Rise Time: | 8.5 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 0.4 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Typical Fall Time | 38.5 ns |
| Typical Rise Time | 8.5 ns |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Power Dissipation (Pd) | 60W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 60 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10nC@10V |
| Typical Turn-On Delay Time | 14.5 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 115pF@100V |
| Maximum Drain Source Voltage | 1050 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.05 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1050 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.95 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8Ω@750mA, 10V |