STD2HNK60Z-VB, Транзистор N-MOSFET 650В 2А 60Вт [DPAK.]
![STD2HNK60Z-VB, Транзистор N-MOSFET 650В 2А 60Вт [DPAK.]](https://static.epl-electro.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001570139
- Артикул
- STD2HNK60Z-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Вес, г
- 0.4
- Корпус
- TO-252/DPAK
- Структура
- N-Channel
- Крутизна характеристики, S
- 3.9
Цена по запросу
(от 41,80 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.4 |
| Корпус | TO-252/DPAK |
| Структура | N-Channel |
| Крутизна характеристики, S | 3.9 |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.8 Ом/3.1А, 10В |