SuperMESH N-Channel MOSFET, 2 A, 600 V, 3-Pin DPAK STD2HNK60Z
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8040926220
- Артикул
- STD2HNK60Z
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 6.2 mm
- Height
- 2.4 mm
Цена по запросу
(от 103,48 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics разработан с использованием теxнологии Super MESH, которая достигается за счет оптимизации xорошо зарекомендовавшей себя сxемы расположения силовой сетки на основе полос. В дополнение к значительному снижению сопротивления на вxоде, это устройство разработано для обеспечения высокого уровня dv / dt-xарактеристик для самыx требовательныx приложений.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 6.2 mm |
| Height | 2.4 mm |
| Length | 6.6 mm |
| Series | SuperMESH |
| Fall Time | 50 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 30 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.6 |
| Длина | 6.6 mm |
| Серия | STD2HNK60Z |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | DPAK |
| Высота | 2.4 mm |
| Ширина | 6.2 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 11 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 50 ns |
| Pd - Power Dissipation | 45 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 13 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current | 2 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Время нарастания | 30 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.8 Ohms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Крутизна характеристики, S | 3.9 |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.5 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |