STD2HNK60Z-1, MOSFET силовой транзистор - [TO-251-3], Тип: N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 2 А, Rси(вкл): 4.8 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Uзатв(макс): 3
![STD2HNK60Z-1, MOSFET силовой транзистор - [TO-251-3], Тип: N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 2 А, Rси(вкл): 4.8 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Uзатв(макс): 3](https://static.epl-electro.ru/lib/581/DOC044581144.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014886928
- Артикул
- STD2HNK60Z-1
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- ECCN
- EAR99
- PPAP
- No
- HTSUS
- 8541.29.0095
Цена по запросу
(от 205 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание MOSFET силовой транзистор - [TO-251-3], Тип: N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 2 А, Rси(вкл): 4.8 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Uзатв(макс): 30 В
Технические параметры
| Tab | Tab |
| ECCN | EAR99 |
| PPAP | No |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | SuperMESHв„ў -> |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.3 |
| Длина | 6.6 mm |
| Серия | STD2HNK60Z-1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 6.2 mm |
| Ширина | 2.4 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | IPAK |
| Упаковка | Tube |
| Process Technology | SuperMESH |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Base Product Number | STD2HNK60 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Standard Package Name | TO-251 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 50 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1A, 10V |
| Typical Fall Time (ns) | 50 |
| Typical Rise Time (ns) | 30 |
| Особенности | - |
| Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 45000 |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 11 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
| Время нарастания | 30 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 13 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 25V |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 280@25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4800@10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2A (Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.75 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.5 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.8 Ом |