STD26P3LLH6, Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -8,5А, 40Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008512588
- Артикул
- STD26P3LLH6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 6.2mm
- Series
- STripFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.4
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -8,5А, 40Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 6.2mm |
| Series | STripFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.4 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-МОП |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 45 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |