Моя заявка (0)

STD26NF10, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 25A 100Вт 0,038Ом TO252

STD26NF10, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 25A 100Вт 0,038Ом TO252

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062571884
Артикул
STD26NF10
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Fall Time:
15 ns
Rise Time:
60 ns
Вес, г
0.32
Цена по запросу
(от 199,17 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Fall Time:15 ns
Rise Time:60 ns
Вес, г0.32
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:55 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:100 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:17 ns
Typical Turn-Off Delay Time:60 ns
Id - Continuous Drain Current:25 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:38 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V

Техническая документация