STD25NF10LT4, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 25А, 100Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062347950
- Артикул
- STD25NF10LT4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
- Width
- 6.2mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- STripFET II
Цена по запросу
(от 319,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 6.2mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | STripFET II |
| Series: | STD25NF10L |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 40 ns |
| Вес, г | 1.5 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 52 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 38 nC @ 5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 58 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 24 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 35 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |