Моя заявка (0)

STD25NF10LA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 21А, 100Вт, DPAK

STD25NF10LA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 21А, 100Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062435268
Артикул
STD25NF10LA
Бренд
STMicroelectronics
Case
DPAK
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STD25NF10LA
Mounting
SMD
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

CaseDPAK
Brand:STMicroelectronics
Series:STD25NF10LA
MountingSMD
Fall Time:20 ns
Rise Time:40 ns
Tradename:STripFET
Вес, г0.43
Technology:Si
ManufacturerSTMicroelectronics
Polarisationunipolar
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Drain current21A
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Power dissipation100W
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:38 nC
Type of transistorN-MOSFET
Gate-source voltage±16V
Number of Channels:1 Channel
On-state resistance40mΩ
Drain-source voltage100V
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:100 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +16 V
Typical Turn-On Delay Time:20 ns
Typical Turn-Off Delay Time:58 ns
Id - Continuous Drain Current:25 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:35 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация