STD25N10F7, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 25 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001752849
- Артикул
- STD25N10F7
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 0.35
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- TO-252
- Power Dissipation
- 40Вт
Цена по запросу
(от 267 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.35 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | TO-252 |
| Power Dissipation | 40Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.027Ом |
| Линейка Продукции | STripFET VII DeepGATE |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 25А |
| Рассеиваемая Мощность | 40Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.027Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.027 Ом |