Моя заявка (0)

STD19N3LLH6AG, Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

STD19N3LLH6AG, Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002236013
Артикул
STD19N3LLH6AG
Бренд
STMicroelectronics
Series
STripFETв(ў
FET Type
N-Channel
Packaging
Cut Tape(CT)
Vgs (Max)
В±20V
Цена по запросу
(от 71 ₽)
Минимальный заказ: 430 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор, N-канальный, 30 В, 10 А, 0,025 Ом, TO-252 (DPAK), для поверxностного монтажа

Технические параметры

SeriesSTripFETв(ў
FET TypeN-Channel
PackagingCut Tape(CT)
Vgs (Max)В±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
FET Feature-
Part StatusDiscontinued at Digi-Key
ManufacturerSTMicroelectronics
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250ВµA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs33 mOhm @ 5A, 10V
Особенностиавтомобильные приложения
Power Dissipation (Max)30W(Tc)
Supplier Device PackageDPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds321pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C10A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация