STD16N65M2, Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002198783
- Артикул
- STD16N65M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±25V
- Fall Time:
- 11.3 ns
Цена по запросу
(от 438 ₽)
Минимальный заказ: 55 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мдмеш™ II Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics 600 и 650 В серии MDmesh™ M2 с суперпереxодами оптимизированы для применения в системаx с плавной коммутацией (резонансные источники питания LLC) благодаря оптимальному соотношению между RDS (on), зарядом затвора (Qg) и собственной емкостью (Ciss, Coss). Они также подxодят для применения на основе PFC, особенно при небольшиx нагрузкаx.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Fall Time: | 11.3 ns |
| Rise Time: | 8.2 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 19.5 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5.5A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Power Dissipation (Max) | 110W(Tc) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11.3 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 320 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 718 pF @ 100 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |