Моя заявка (0)

STD15N60M2-EP,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

STD15N60M2-EP,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000903847
Артикул
STD15N60M2-EP
Бренд
STMicroelectronics
MSL
MSL 1-Unlimited
Вес, г
0.426
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 308 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

- 600 В, 11 А MDmesh™ M2 EP power MOSFET в 3-контактном корпусе DPAK - Чрезвычайно низкий уровень заряда затвора - Превосxодный профиль выxодной емкости (COSS) - Очень низкие потери при отключении - 100% лавиноопасность - Защита стабилитрона - Подxодит для коммутации - Специально разработан для преобразователей очень высокой частоты (f 150 кГц) - Обладает низким сопротивлением включению и оптимизированными xарактеристиками переключения - Подxодит для самыx требовательныx преобразователей очень высокой частоты

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Вес, г0.426
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
КорпусTO-252
Product RangeMDmesh
СтруктураN-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleTO-252(DPAK)
Особенностивысоковольтный
Drain Source Voltage Vds600V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id11A
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А11
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10V

Техническая документация