STD15N50M2AG, Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002261922
- Артикул
- STD15N50M2AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- Power MOSFET
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STD15N50M2AG
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 223 ₽)
Минимальный заказ: 90 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 500V 10A автомобильный AEC-Q101 3-контактный (2+Tab) DPAK T/R
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STD15N50M2AG |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Fall Time: | 8.8 ns |
| Rise Time: | 3.2 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | DPAK |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 85(W) |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13 nC |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Drain-Source On-Volt | 500(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 85 W |
| Continuous Drain Current | 10(A) |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±30(V) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 84 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.336Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 336 mOhms |
| Линейка Продукции | MDmesh M2 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Рассеиваемая Мощность | 85Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.336Ом |