STD13NM60ND, Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038946491
- Артикул
- STD13NM60ND
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- RoHS
- Details
- SVHC
- Yes
Цена по запросу
(от 470 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| RoHS | Details |
| SVHC | Yes |
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 6.2mm |
| Series | FDmesh |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Fall Time | 15.4 ns |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 10 ns |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.35 |
| Серия | STD13NM60ND |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 6.2(Max) |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Package Length | 6.6(Max) |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| EDA / CAD Models | STD13NM60ND by Ultra Librarian |
| Product Category | Power MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 24.5 nC |
| Supplier Package | DPAK |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Process Technology | FDmesh |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 15.4 ns |
| Pd - Power Dissipation | 109 W |
| Power Dissipation (Pd) | 109W |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 15.4 |
| Typical Rise Time (ns) | 10 |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 109 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 24.5 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 24.5nC@10V |
| Typical Turn-On Delay Time | 46.5 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 9.6 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 845pF@50V |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 11A |
| Id - Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 109000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Qg - заряд затвора | 24.5 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 24.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 24.5@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 380 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 46.5 |
| Время нарастания | 10 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 380 mOhms |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 9.6 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 11 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 845@50V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 380@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 109 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 380 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 9.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 46.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 109 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 380mΩ@5.5A, 10V |