Транзистор полевой STD13NM60N
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8055405031
- Артикул
- STD13NM60N
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh II
- Series:
- STD13NM60N
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 370 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 6,93А, 90Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh II |
| Series: | STD13NM60N |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 27 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 90 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 360 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 90 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |