STD13N65M2, MOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004827921
- Артикул
- STD13N65M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- 1PCSNChannel
- Width
- 6.2mm
- Series
- MDmesh M2
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 174,81 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in DPAK package
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Width | 6.2mm |
| Series | MDmesh M2 |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 4 |
| Серия | STD13N65M2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 12 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 110W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 5A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 110W(Tc) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 590pF@100V |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 10A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 17 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 430 mΩ |
| Время нарастания | 7.8 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A(Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 370 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 430mΩ@5A, 10V |