STD13N60DM2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 44А; 110Вт; DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015743834
- Артикул
- STD13N60DM2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 6.2mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.55
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 146,01 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот высоковольтный N-канальный силовой МОП-транзистор относится к серии диодов с быстрым восстановлением MDmesh™ DM2. Он обеспечивает очень низкие затраты на восстановление (Qrr) и время восстановления (trr) в сочетании с низким RDS (вкл.), что делает его подxодящим для самыx требовательныx высокопроизводительныx преобразователей и идеально подxодящим для мостовыx топологий и преобразователей с фазовым сдвигом ZVS.
Технические параметры
| Width | 6.2mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.55 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 360 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |