Моя заявка (0)

STD13003T4, Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

STD13003T4, Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001215491
Артикул
STD13003T4
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Width
6.2 mm(Max)
Height
2.4 mm(Max)
Цена по запросу
(от 55 ₽)
Минимальный заказ: 560 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT H/V FST SWCH PW TRNS NPN

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Width6.2 mm(Max)
Height2.4 mm(Max)
Length6.6 mm(Max)
SeriesSTD13003
PackagingReel
Вес, г1
Длина6.6 mm (Max)
СерияSTD13003
ManufacturerSTMicroelectronics
Высота2.4 mm (Max)
КорпусTO-252/DPAK
Ширина6.2 mm (Max)
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-252-3
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity2500
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation20000 mW
DC Current Gain hFE Max5
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Emitter- Base Voltage VEBO9 V
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum DC Collector Current1.5 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min5
Collector- Emitter Voltage VCEO Max400 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности20000 mW
Размер фабричной упаковки2500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)9 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1.5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.400 V
Максимальный постоянный ток коллектора1.5 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.5
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)5

Техническая документация