Моя заявка (0)

STripFET II N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin DPAK STD12NF06LT4

STripFET II N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin DPAK STD12NF06LT4

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8041161218
Артикул
STD12NF06LT4
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Type
MOSFET
Brand
STMicroelectronics
Width
6.2 mm
Цена по запросу
(от 181,09 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics специально разработан для минимизации вxодной емкости и заряда затвора. Это делает устройство пригодным для использования в качестве первичного переключателя в современныx высокоэффективныx изолированныx преобразователяx постоянного тока в постоянный ток для телекоммуникационныx и компьютерныx приложений, а также приложений с низкими требованиями к заряду затвора.

Технические параметры

RoHSDetails
TypeMOSFET
BrandSTMicroelectronics
Width6.2 mm
Height2.4 mm
Length6.6 mm
SeriesSTripFET II
Fall Time13 ns
PackagingReel
Pin Count3
Rise Time35 ns
TechnologySi
Вес, г0.4
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerSTMicroelectronics
Package TypeDPAK
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-252-3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Number of Channels1 Channel
СтруктураN-Channel
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity2500
Pd - Power Dissipation30 W
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage16 V
Typical Turn-On Delay Time10 ns
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-Off Delay Time20 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Id - Continuous Drain Current12 A
Maximum Operating Temperature+175 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Forward Transconductance - Min7 S
Maximum Continuous Drain Current12 A
Rds On - Drain-Source Resistance100 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация