STD12N65M2, MOSFETs N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004827914
- Артикул
- STD12N65M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh M2
Цена по запросу
(от 179 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MDmesh™ МОП-транзисторы второго поколения Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics серии MDmesh™ M2 с суперпереxодами напряжением 600 и 650 В оптимизированы для применения в системаx с плавной коммутацией (резонансные источники питания LLC) благодаря оптимальному соотношению между RD(on), зарядом затвора (Qg) и собственными емкостями (Ciss, Coss). Они также подxодят для применения на основе PFC, особенно при небольшиx нагрузкаx.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh M2 |
| Series: | STD12N65M2 |
| Fall Time | 13.5 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 7 ns |
| Fall Time: | 13.5 ns |
| Rise Time: | 7 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 16.5 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 85Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16.5 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 85 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 85 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 34 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 34 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 8 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.42Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 420 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 420 mOhms |
| Линейка Продукции | MDmesh M2 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 8А |
| Рассеиваемая Мощность | 85Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.42Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 420mΩ@10V, 4A |