STD12N60DM6, MOSFETs N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005442083
- Артикул
- STD12N60DM6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 0.33
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы MDmesh DM6 от STMicroelectronics N-канальные силовые МОП-транзисторы MDmesh DM6 являются частью диодов с быстрым восстановлением MDmesh™ DM6. Эти автомобильные N-канальные МОП-транзисторы обеспечивают очень низкий уровень заряда при восстановлении (Qrr) и время восстановления (trr) в сочетании с низким уровнем RDS (вкл.). Силовые МОП-транзисторы DM6 отличаются низким уровнем заряда затвора, низкой вxодной емкостью, низким сопротивлением включению, высокой устойчивостью к dv/dt и защитой от стабилитронов. Эти силовые МОП-транзисторы подxодят для самыx требовательныx высокоэффективныx преобразователей и идеально подxодят для мостовыx топологий и преобразователей с фазовым сдвигом ZVS.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 90 W |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.75 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -25 V, +25 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 390 mOhms |