STD120N4F6,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046382901
- Артикул
- STD120N4F6
- Бренд
- STMicroelectronics
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- Series
- DeepGATEв(ў, STripFETв(ў VI
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
Цена по запросу
(от 379 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
транз: N-MOSFET 40V 80A <0.004Om
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| Series | DeepGATEв(ў, STripFETв(ў VI |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.33 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Part Status | Active |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Range | STripFET F6 Series |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Transistor Case Style | TO-252(DPAK) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 40A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 110W(Tc) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Drain Source Voltage Vds | 40V |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Continuous Drain Current Id | 80A |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3850pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 80A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0035 Ом |